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FDB33N25
規(guī)格信息：

制造商:Fairchild Semiconductor

產品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:33 A

Vds-漏源極擊穿電壓:250 V

Rds On-漏源導通電阻:94 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :30 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:235 W

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:D2PAK-3

商標:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:120 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:230 ns

系列:FDB33N25

典型關閉延遲時間:75 ns

典型接通延遲時間:35 ns

FDB33N25

型號	功能描述	生產廠商	PDF大小	PDF頁數	相關型號	產品購買
FDB33N25	250V N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	688.68 Kbytes	共2頁	STP8NS25,FQD6N25,FQPF27N25,IRF654B,IRF614,FQA16N25C,FQB16N25,IRFM214B,FQAF16N25C,ZVN4525E6	產品購買
FDB33N25	250V N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	909.52 Kbytes	共9頁	FDB2710,FQB16N25C,STRH40N25FSY3,FDA69N25,FDD6N25,PJD03N03,2SK3526-01L,STB10NK60Z,FDD6635,STB9NK90Z	產品購買
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FDB33N25TM	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	298.83 Kbytes	共14頁		產品購買