FET 類型:P 溝道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):16A(Ta)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):13nC @ 4.5V
Vgs(最大值):±8V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):665pF @ 10V
功率耗散(最大值):37.5W(Tc)
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):80 毫歐 @ 8A,4.5V
工作溫度:-65°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝:TO-263AB
封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
FDB4020P
| 型號 | 功能描述 | 生產(chǎn)廠商 | 廠商LOGO | PDF大小 | PDF頁數(shù) | PDF文件 | 相關(guān)型號 | 第一頁預(yù)覽 | 產(chǎn)品購買 |
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| FDB4020P | P-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor | FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor] | 213.32 Kbytes | 共7頁 | FDS8934A,NDH8447,NDS8434A,DT2955,AO4401,AO8701,AO3415,AO7403,AO4815,AO4437 | 產(chǎn)品購買 | |||
| FDB4020P | P-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor | FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor] | 79.87 Kbytes | 共5頁 | CEM4953A,CES2301,CED3301,CEM6601,CES2321,CED3423,CEH2311,CEM3301,CEM6607,CEP50P03 | 產(chǎn)品購買 | |||
| FDB4020P | P-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor | KEXIN[Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd] | 51.36 Kbytes | 共2頁 | FDP4020P_00,FDS9435A,CEH2313,CEM3307,CEM6861,P4404EDG,KDS8928A,FDS8958A,CEH2321,NDT2955_02 | 產(chǎn)品購買 |
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