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FDB3632 PDF文件_規(guī)格信息

FDB3632
規(guī)格信息：

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TO-263-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:100 V

Id-連續(xù)漏極電流:80 A

Rds On-漏源導通電阻:7.5 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:310 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:PowerTrench

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:4.83 mm

長度:10.67 mm

系列:FDB3632

晶體管類型:1 N-Channel

類型:MOSFET

寬度:9.65 mm

商標:ON Semiconductor / Fairchild

下降時間:46 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:39 ns

工廠包裝數(shù)量:800

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:96 ns

典型接通延遲時間:30 ns

零件號別名:FDB3632_NL

單位重量:1.312 g

FDB3632

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
FDB3632	N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 9ma?\|	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	267.76 Kbytes	共11頁	FDP3651U,FDP060AN08A0,FDS3672,FDS3170N7,FDP070AN06A0,FDS3680,STP80NF10,FDS3682,FDB3652	產(chǎn)品購買
FDB3632	N-Channel PowerTrench MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	310.36 Kbytes	共11頁	FDD8580,FDW9926A,FDD8586,FDD8750,FDW2501N,FDN361BN,FDS8949,FDFS6N548,FDB8832,FDB2614	產(chǎn)品購買
FDB3632	N-Channel PowerTrench MOSFET	KEXIN[Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]	53.34 Kbytes	共2頁	FDW2501N,FDN361BN,FDS4070N3_04,KDB2670,FDFS6N548,FDD6030L_03,FDS4070N7_04,FDS6612A_03,KDB3652,KDW2503N	產(chǎn)品購買
FDB3632	rDS(ON) = 7.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)	TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]	221.8 Kbytes	共2頁		產(chǎn)品購買
FDB3632	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	321.79 Kbytes	共2頁		產(chǎn)品購買
FDB3632_12	N-Channel PowerTrench?? MOSFET 100V, 80A, 9m??	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	489.88 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
FDB3632_F085	N-Channel PowerTrench?? MOSFET 100V, 80A, 9m??	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	489.88 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
FDB3632-F085	MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET	ON Semiconductor / Fairchild	581.78 Kbytes	共14頁		產(chǎn)品購買
FDB3632-F085	MOSFET N-CH 100V 12A D2PAK	ON Semiconductor	1.34 Mbytes	共12頁		產(chǎn)品購買