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FDB3652
規(guī)格信息：

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TO-263-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:100 V

Id-連續(xù)漏極電流:61 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:14 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:150 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:4.83 mm

長度:10.67 mm

系列:FDB3652

晶體管類型:1 N-Channel

類型:MOSFET

寬度:9.65 mm

商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild

下降時(shí)間:45 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:85 ns

工廠包裝數(shù)量:800

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:26 ns

典型接通延遲時(shí)間:12 ns

零件號別名:FDB3652_NL

單位重量:1.312 g

FDB3652

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
FDB3652	N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 61A, 16ma?\|	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	272.25 Kbytes	共11頁	FDS3672,FDS3170N7,FDS3680,FDS3682,FDB3632,FDS3690,FDB3682,FDS3912,FDC3601N,FDS3992	產(chǎn)品購買
FDB3652	rDS(ON) = 14m (Typ.), VGS = 10V, ID = 61A Qg(tot) = 41nC (Typ.), VGS = 10V	TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]	246.84 Kbytes	共2頁		產(chǎn)品購買
FDB3652_08	N-Channel PowerTrench?? MOSFET 100V, 61A, 16m??	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	476.95 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
FDB3652_F085	N-Channel PowerTrench?? MOSFET 100V, 61A, 16m??	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	476.95 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
FDB3652-F085	MOSFET N-Ch PowerTrench Trench Mos.	ON Semiconductor / Fairchild	531.96 Kbytes	共14頁		產(chǎn)品購買
FDB3652-F085	MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK	ON Semiconductor	474.10 Kbytes	共12頁		產(chǎn)品購買

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