制造商:Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOT-26-6
通道數(shù)量:2 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:20 V
Id-連續(xù)漏極電流:2 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:100 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:600 mV
Vgs - 柵極-源極電壓:4.5 V
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:650 mW
配置:Dual
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:1.1 mm
長度:3 mm
產(chǎn)品:MOSFET Small Signal
系列:DMN22
晶體管類型:2 N-Channel
寬度:1.6 mm
商標(biāo):Diodes Incorporated
下降時間:8.3 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:3.8 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:19.6 ns
典型接通延遲時間:8 ns
單位重量:15 mg