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制造商:Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類:MOSFET

技術(shù):Si

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:20 V

Id-連續(xù)漏極電流:4 A

Rds On-漏源導通電阻:43 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:400 mV

Vgs - 柵極-源極電壓:5 V

Qg-柵極電荷:7.4 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.25 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

晶體管類型:1 N-Channel

商標:Diodes Incorporated

下降時間:816 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:268 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:1245 ns

典型接通延遲時間:152 ns