制造商:Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:X2-DFN0806-6
通道數(shù)量:2 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:20 V
Id-連續(xù)漏極電流:455 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:500 mOhms, 500 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:400 mV
Vgs - 柵極-源極電壓:8 V
Qg-柵極電荷:410 pC, 410 pC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:310 mW
配置:Dual
通道模式:Enhancement
封裝:Reel
晶體管類型:2 N-Channel
商標(biāo):Diodes Incorporated
下降時間:12 ns, 12 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:3.4 ns, 3.4 ns
工廠包裝數(shù)量:10000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:24 ns, 24 ns
典型接通延遲時間:4.5 ns, 4.5 ns
單位重量:1 mg