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DMN2114SN
規(guī)格信息:

制造商:Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:1.2 A

Vds-漏源極擊穿電壓:20 V

Rds On-漏源導通電阻:100 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :12 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:500 mW

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-23-3

商標:Diodes Incorporated

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:15 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:15 ns

系列:DMN2114S

典型關閉延遲時間:50 ns

典型接通延遲時間:10 ns

介紹圖DMN2114SN
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
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