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制造商:Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:X1-DFN1006-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:20 V
Id-連續(xù)漏極電流:440 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.5 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
最小工作溫度:- 65 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:450 mW
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:0.47 mm
長(zhǎng)度:1 mm
產(chǎn)品:MOSFET Small Signal
系列:DMN2005
晶體管類(lèi)型:1 N-Channel
寬度:0.6 mm
商標(biāo):Diodes Incorporated
產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET
工廠包裝數(shù)量:3000
子類(lèi)別:MOSFETs
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