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DMN2004VK
規(guī)格信息:

制造商:Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:540 mA

Vds-漏源極擊穿電壓:20 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:550 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :8 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:250 mW

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-563-6

商標(biāo):Diodes Incorporated

通道模式:Enhancement

配置:Dual

下降時間:36.1 ns

最小工作溫度:- 65 C

上升時間:13.3 ns

系列:DMN2004V

典型關(guān)閉延遲時間:53.5 ns

典型接通延遲時間:8 ns

介紹圖DMN2004VK
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
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