制造商:Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:X2-DFN0806-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:12 V
Id-連續(xù)漏極電流:200 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:366 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V
Vgs - 柵極-源極電壓:8 V
Qg-柵極電荷:960 pC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:360 mW
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
系列:DMN1260
晶體管類型:1 N-Channel
商標(biāo):Diodes Incorporated
下降時(shí)間:59.2 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:18.8 ns
工廠包裝數(shù)量:10000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:106.5 ns
典型接通延遲時(shí)間:7.4 ns