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DMN2004K
規(guī)格信息：

制造商:Diodes Incorporated

產品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:540 mA

Vds-漏源極擊穿電壓:20 V

Rds On-漏源導通電阻:550 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :8 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:350 mW

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-23-3

商標:Diodes Incorporated

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:37.6 ns

最小工作溫度:- 65 C

上升時間:8.4 ns

系列:DMN2004K

典型關閉延遲時間:59.4 ns

典型接通延遲時間:5.7 ns

DMN2004K

型號	功能描述	生產廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關型號	產品購買
DMN2004K	Low On-Resistance: RDS(ON)	TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]	86.31 Kbytes	共1頁		產品購買
DMN2004K	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	DIODES[Diodes Incorporated]	152.59 Kbytes	共4頁	CEM2082,CEP09N6,CEP63A3,CEP3070,CED703AL,2N7002W_1,DMN2005K,DMN2004DWK,CEM2108,CEM4282	產品購買
DMN2004K	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	DIODES[Diodes Incorporated]	194.7 Kbytes	共6頁		產品購買
DMN2004K_10	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	DIODES[Diodes Incorporated]	194.7 Kbytes	共6頁		產品購買
DMN2004K_15	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODES[Diodes Incorporated]	153.96 Kbytes	共6頁		產品購買
DMN2004K-7	Low On-Resistance: RDS(ON)	TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]	86.31 Kbytes	共1頁		產品購買
DMN2004K-7	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	DIODES[Diodes Incorporated]	152.59 Kbytes	共4頁	CEM2082,CEP09N6,CEP63A3,CEP3070,CED703AL,2N7002W_1,DMN2005K,DMN2004DWK,CEM2108,CEM4282	產品購買
DMN2004K-7	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	DIODES[Diodes Incorporated]	194.7 Kbytes	共6頁		產品購買
DMN2004K-7-F	Product specification	TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]	123.23 Kbytes	共1頁		產品購買