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制造商:Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:X2-DFN1006-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:20 V

Id-連續(xù)漏極電流:300 mA

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:650 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:530 mV

Vgs - 柵極-源極電壓:10 V

Qg-柵極電荷:-

最小工作溫度:- 65 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:400 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:0.35 mm

長度:1 mm

產(chǎn)品:MOSFET Small Signal

系列:DMN2005

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:0.6 mm

商標(biāo):Diodes Incorporated

正向跨導(dǎo) - 最小值:40 mS

產(chǎn)品類型:MOSFET

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:13.7 ns

典型接通延遲時間:4.06 ns