制造商:Texas Instruments
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOIC-8
通道數(shù)量:2 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
Id-連續(xù)漏極電流:16 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:15 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:2.6 V
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Qg-柵極電荷:14 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2.1 W
配置:Dual
通道模式:Enhancement
商標名:NexFET
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:1.75 mm
長度:4.9 mm
系列:CSD88537ND
晶體管類型:2 N-Channel
寬度:3.9 mm
商標:Texas Instruments
正向跨導(dǎo) - 最小值:42 S
開發(fā)套件:DRV8308EVM, DRV8307EVM, BOOST-DRV8711
下降時間:19 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:15 ns
工廠包裝數(shù)量:250
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:5 ns
典型接通延遲時間:6 ns
單位重量:540 mg