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制造商:Texas Instruments

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DSBGA-9

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:8 V

Id-連續(xù)漏極電流:5 A

Rds On-漏源導通電阻:17.4 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:800 mV

Vgs - 柵極-源極電壓:6 V

Qg-柵極電荷:6.5 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:NexFET

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:0.62 mm

長度:1.5 mm

系列:CSD22202W15

晶體管類型:1 P-Channel

寬度:1.5 mm

商標:Texas Instruments

下降時間:38 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:8.4 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:109 ns

典型接通延遲時間:10.4 ns

單位重量:2.500 mg