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制造商:Texas Instruments

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:VSON-Clip-8

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:100 V

Id-連續(xù)漏極電流:50 A

Rds On-漏源導通電阻:14.5 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:2.6 V

Vgs - 柵極-源極電壓:10 V

Qg-柵極電荷:16 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:83 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:NexFET

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:1 mm

長度:3.3 mm

系列:CSD19537Q3

晶體管類型:1 N-Channel Power MOSFET

寬度:3.3 mm

商標:Texas Instruments

下降時間:3 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:3 ns

工廠包裝數(shù)量:2500

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:10 ns

典型接通延遲時間:5 ns

單位重量:24 mg