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APT10M25BVR
規(guī)格信息:

最大門源電壓:±30

安裝:Through Hole

包裝寬度:5.31(Max)

PCB:3

最大功率耗散:300000

最大漏源電壓:100

歐盟RoHS指令:Not Compliant

最大漏源電阻:25@10V

每個(gè)芯片的元件數(shù):1

最低工作溫度:-55

供應(yīng)商封裝形式:TO-247

標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱:TO-247

最高工作溫度:150

渠道類型:N

包裝長(zhǎng)度:16.26(Max)

引腳數(shù):3

通道模式:Enhancement

包裝高度:21.46(Max)

最大連續(xù)漏極電流:75

標(biāo)簽:Tab

鉛形狀:Through Hole

介紹圖APT10M25BVR
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
APT10M25BVRPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. ADPOW[Advanced Power Technology]ADPOW[Advanced Power Technology]的LOGO-天天IC網(wǎng)65.68 Kbytes共4頁APT10M25BVR的PDF文件地址APT10045JFLL,APT10086BLC,APT10M25BVFR,APT20M22B2VFR,APT30M70BVFR,APT40M35JVR,APT5024BFLL,APT50M50JVFR,APT50M75JLLU2,APT6013B2LL APT10M25BVR的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
APT10M25BVRisc N-Channel MOSFET Transistor ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]的LOGO-天天IC網(wǎng)419.42 Kbytes共2頁APT10M25BVR的PDF文件地址 APT10M25BVR的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
APT10M25BVRGMOSFET N-CH 100V 75A TO247Microchip TechnologyMicrochip Technology的LOGO-天天IC網(wǎng)65.70 Kbytes共4頁APT10M25BVRG的PDF文件地址 APT10M25BVRG的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
APT10M25BVR相關(guān)型號(hào)規(guī)格信息
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