最大門源電壓:±30
安裝:Through Hole
包裝寬度:5.31(Max)
PCB:3
最大功率耗散:300000
最大漏源電壓:100
歐盟RoHS指令:Not Compliant
最大漏源電阻:25@10V
每個(gè)芯片的元件數(shù):1
最低工作溫度:-55
供應(yīng)商封裝形式:TO-247
標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱:TO-247
最高工作溫度:150
渠道類型:N
包裝長(zhǎng)度:16.26(Max)
引腳數(shù):3
通道模式:Enhancement
包裝高度:21.46(Max)
最大連續(xù)漏極電流:75
標(biāo)簽:Tab
鉛形狀:Through Hole
APT10M25BVR
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| APT10M25BVR | Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. | ADPOW[Advanced Power Technology] | 65.68 Kbytes | 共4頁 | APT10045JFLL,APT10086BLC,APT10M25BVFR,APT20M22B2VFR,APT30M70BVFR,APT40M35JVR,APT5024BFLL,APT50M50JVFR,APT50M75JLLU2,APT6013B2LL | 產(chǎn)品購買 | |||
| APT10M25BVR | isc N-Channel MOSFET Transistor | ISC[Inchange Semiconductor Company Limited] | 419.42 Kbytes | 共2頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| APT10M25BVRG | MOSFET N-CH 100V 75A TO247 | Microchip Technology | 65.70 Kbytes | 共4頁 | 產(chǎn)品購買 |
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