系列:CoolMOS??
FET類型:N 溝道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):106A(Tc)
驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id時的Vgs(th)(最大值):3.5V @ 3.4mA
不同Vgs時的柵極電荷?(Qg)(最大值):308nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)(最大值):8390pF @ 25V
Vgs(最大值):±20V
功率耗散(最大值):833W(Tc)
不同?Id,Vgs時的?RdsOn(最大值):35 毫歐 @ 53A,10V
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247-3 變式
封裝形式Package:T-MAX
極性Polarity:N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS:600V
連續(xù)漏極電流ID:106A
無鉛情況/RoHs:否
APT106N60B2C6
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| APT106N60B2C6 | Super Junction MOSFET | MICROSEMI[Microsemi Corporation] | 162.01 Kbytes | 共5頁 | 產品購買 |
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