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制造商:Microchip

產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管

RoHS:是

技術(shù):Si

封裝 / 箱體:TO-264-3

安裝風(fēng)格:Through Hole

配置:Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V

集電極—射極飽和電壓:1.5 V

柵極/發(fā)射極最大電壓:30 V

在25 C的連續(xù)集電極電流:229 A

Pd-功率耗散:625 W

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

封裝:Tube

集電極最大連續(xù)電流 Ic:229 A

高度:5.21 mm

長度:26.49 mm

工作溫度范圍:- 55 C to + 175 C

寬度:20.5 mm

商標(biāo):Microchip / Microsemi

集電極連續(xù)電流:229 A

柵極—射極漏泄電流:600 nA

產(chǎn)品類型:IGBT Transistors

工廠包裝數(shù)量:1

子類別:IGBTs

單位重量:10.600 g