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APT10086BVR
規(guī)格信息:

包裝:3TO-247

通道模式:Enhancement

最大漏源電壓:1000 V

最大連續(xù)漏極電流:13 A

RDS -于:860@10V mOhm

最大門(mén)源電壓:±30 V

典型導(dǎo)通延遲時(shí)間:12 ns

典型上升時(shí)間:10 ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:43 ns

工作溫度:-55 to 150 °C

安裝:Through Hole

標(biāo)準(zhǔn)包裝:Bulk

最大門(mén)源電壓:±30

歐盟RoHS指令:Not Compliant

最高工作溫度:150

標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱:TO-247

最低工作溫度:-55

渠道類(lèi)型:N

最大漏源電阻:860@10V

最大漏源電壓:1000

每個(gè)芯片的元件數(shù):1

供應(yīng)商封裝形式:TO-247

最大功率耗散:370000

最大連續(xù)漏極電流:13

引腳數(shù):3

漏極電流(最大值):13 A

頻率(最大):Not Required MHz

柵源電壓(最大值):?30 V

輸出功率(最大):Not Required W

功率耗散:370 W

噪聲系數(shù):Not Required dB

工作溫度范圍:-55C to 150C

包裝類(lèi)型:TO-247

極性:N

類(lèi)型:Power MOSFET

元件數(shù):1

工作溫度分類(lèi):Military

漏極效率:Not Required %

漏源導(dǎo)通電壓:1000 V

功率增益:Not Required dB

弧度硬化:No

連續(xù)漏極電流:13 A

刪除:Not Compliant

介紹圖APT10086BVR
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
APT10086BVRPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. ADPOW[Advanced Power Technology]ADPOW[Advanced Power Technology]的LOGO-天天IC網(wǎng)66.07 Kbytes共4頁(yè)APT10086BVR的PDF文件地址APT10045JFLL,APT10086BLC,APT10M25BVR,APT20M22B2VFR,APT30M70BVFR,APT40M35JVR,APT5024BFLL,APT50M50JVFR,APT50M75JLLU2,APT6013B2LL APT10086BVR的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
APT10086BVR相關(guān)型號(hào)規(guī)格信息
購(gòu)買(mǎi)、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚?xiě)詢價(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
詢價(jià)型號(hào)*數(shù)量*批號(hào)封裝品牌其它要求
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