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APT102GA60L
規(guī)格信息:

數(shù)據(jù)列表:APT102GA60(B2,L)

標(biāo)準(zhǔn)包裝:25

類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭:IGBT - 單路

系列:-

包裝:管件

IGBT 類型:PT

電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V

電流 - 集電極(Ic)(最大值):183A

脈沖電流 - 集電極 (Icm):307A

不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.5V @ 15V,62A

功率 - 最大值:780W

開關(guān)能量:1.354mJ(開), 1.614mJ(關(guān))

輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷:294nC

25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:28ns/212ns

測試條件:400V,62A,4.7 歐姆,15V

反向恢復(fù)時(shí)間(trr):-

封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA

安裝類型:通孔

供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L]

其它名稱:APT102GA60LMIAPT102GA60LMI-ND

介紹圖APT102GA60L
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
APT102GA60LHigh Speed PT IGBT MICROSEMI[Microsemi Corporation]MICROSEMI[Microsemi Corporation]的LOGO-天天IC網(wǎng)232.16 Kbytes共6頁APT102GA60L的PDF文件地址 APT102GA60L的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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