標(biāo)準(zhǔn)包裝10
類別半導(dǎo)體模塊
家庭IGBT
系列-
IGBT 類型NPT
配置單一
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)1200V
Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開)3.7V @ 15V,100A
電流 - 集電極 (Ic)(最大)123A
電流 - 集電極截止(最大)300µA
Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies)6.7nF @ 25V
功率 - 最大570W
輸入標(biāo)準(zhǔn)型
NTC 熱敏電阻無(wú)
安裝類型底座安裝
封裝/外殼ISOTOP
供應(yīng)商設(shè)備封裝ISOTOP?
其它名稱APT100GT120JRDLMIAPT100GT120JRDLMI-ND
APT100GT120JRDL
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| APT100GT120JRDL | Resonant Mode IGBT | MICROSEMI[Microsemi Corporation] | 234.46 Kbytes | 共9頁(yè) | 產(chǎn)品購(gòu)買 |
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