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APT100GT120JRDL
規(guī)格信息:

標(biāo)準(zhǔn)包裝10

類別半導(dǎo)體模塊

家庭IGBT

系列-

IGBT 類型NPT

配置單一

電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)1200V

Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開)3.7V @ 15V,100A

電流 - 集電極 (Ic)(最大)123A

電流 - 集電極截止(最大)300µA

Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies)6.7nF @ 25V

功率 - 最大570W

輸入標(biāo)準(zhǔn)型

NTC 熱敏電阻無(wú)

安裝類型底座安裝

封裝/外殼ISOTOP

供應(yīng)商設(shè)備封裝ISOTOP?

其它名稱APT100GT120JRDLMIAPT100GT120JRDLMI-ND

介紹圖APT100GT120JRDL
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買
APT100GT120JRDLResonant Mode IGBT MICROSEMI[Microsemi Corporation]MICROSEMI[Microsemi Corporation]的LOGO-天天IC網(wǎng)234.46 Kbytes共9頁(yè)APT100GT120JRDL的PDF文件地址 APT100GT120JRDL的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
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購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
詢價(jià)型號(hào)*數(shù)量*批號(hào)封裝品牌其它要求
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