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APT10M19BVR
規(guī)格信息:

包裝:3TO-247

通道模式:Enhancement

最大漏源電壓:100 V

最大連續(xù)漏極電流:75 A

RDS -于:19@10V mOhm

最大門源電壓:±30 V

典型導(dǎo)通延遲時間:16 ns

典型上升時間:40 ns

典型關(guān)閉延遲時間:50 ns

典型下降時間:20 ns

工作溫度:-55 to 150 °C

安裝:Through Hole

標(biāo)準(zhǔn)包裝:Bulk

最大門源電壓:±30

歐盟RoHS指令:Not Compliant

最高工作溫度:150

標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱:TO-247

最低工作溫度:-55

渠道類型:N

最大漏源電阻:19@10V

最大漏源電壓:100

每個芯片的元件數(shù):1

供應(yīng)商封裝形式:TO-247

最大功率耗散:370000

最大連續(xù)漏極電流:75

引腳數(shù):3

連續(xù)漏極電流:75 A

柵源電壓(最大值):?30 V

功率耗散:370 W

工作溫度范圍:-55C to 150C

包裝類型:TO-247

極性:N

類型:Power MOSFET

元件數(shù):1

工作溫度分類:Military

漏源導(dǎo)通電壓:100 V

弧度硬化:No

介紹圖APT10M19BVR
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
APT10M19BVRPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. ADPOW[Advanced Power Technology]ADPOW[Advanced Power Technology]的LOGO-天天IC網(wǎng)67.26 Kbytes共4頁APT10M19BVR的PDF文件地址APT10045JFLL,APT10086BLC,APT10M25BVR,APT20M22B2VFR,APT30M70BVFR,APT40M35JVR,APT5024BFLL,APT50M50JVFR,APT50M75JLLU2,APT6013B2LL APT10M19BVR的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
APT10M19BVRisc N-Channel MOSFET Transistor ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]的LOGO-天天IC網(wǎng)420.04 Kbytes共2頁APT10M19BVR的PDF文件地址 APT10M19BVR的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
APT10M19BVRGMOSFET N-CH 100V 75A TO247Microchip TechnologyMicrochip Technology的LOGO-天天IC網(wǎng)67.27 Kbytes共4頁APT10M19BVRG的PDF文件地址 APT10M19BVRG的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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