制造商:Microchip
產(chǎn)品種類:分立半導(dǎo)體模塊
RoHS:是
產(chǎn)品:Power MOSFET Modules
類型:MOSFET
Vgs - 柵極-源極電壓:30 V
安裝風(fēng)格:Screw Mount
封裝 / 箱體:SOT-227-4
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
封裝:Tube
配置:Single
商標(biāo):Microchip / Microsemi
晶體管極性:N-Channel
下降時(shí)間:9 ns
Id-連續(xù)漏極電流:144 A
工作電源電壓:0.5 V
Pd-功率耗散:450 W
產(chǎn)品類型:Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:11 mOhms
上升時(shí)間:48 ns
工廠包裝數(shù)量:1
子類別:Discrete Semiconductor Modules
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:51 ns
典型接通延遲時(shí)間:16 ns
Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V
單位重量:28.800 g
APT10M11JVFR
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| APT10M11JVFR | High Voltage N-Channel enhancement mode power MOSFET | ADPOW[Advanced Power Technology] | 121.37 Kbytes | 共4頁 | IRF230,BFC11,APT10M07JVFR,APT10M11B2VFR,BFC19,SML100W18,SML20H45,SML40B27,SML50C15,SML60B25 | 產(chǎn)品購買 |
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