FET 類(lèi)型N 溝道
技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）200mA（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）3V @ 1mA
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）60pF
電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds25V
功率耗散（最大值）350mW（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）5 歐姆 @ 500mA，10V
工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型通孔
供應(yīng)商器件封裝TO-92-3
封裝/外殼TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線(xiàn)）
無(wú)鉛情況/RoHs無(wú)鉛/符合RoHs