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標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,000

類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭：FET - 單

系列：-

包裝：帶卷（TR）

FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓（Vdss）：60V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：200mA（Ta）

不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：5 歐姆 @ 500mA，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：-

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：60pF @ 25V

功率 - 最大值：350mW

安裝類(lèi)型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引線

供應(yīng)商器件封裝：TO-92-3

其它名稱(chēng)：2N7000RLRAGOSTR