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2N7000-G
規(guī)格信息：

制造商:Microchip

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-92-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Id-連續(xù)漏極電流:200 mA

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:5 Ohms

Vgs th-柵源極閾值電壓:800 mV

Vgs - 柵極-源極電壓:10 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Bulk

高度:5.33 mm

長(zhǎng)度:5.21 mm

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:4.19 mm

商標(biāo):Microchip Technology

正向跨導(dǎo) - 最小值:100 mmho

產(chǎn)品類型:MOSFET

工廠包裝數(shù)量:1000

子類別:MOSFETs

單位重量:453.600 mg

2N7000-G

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2N7000-G P002	MOSFET N-Channel MOSFET	Microchip Technology	440.83 Kbytes	共5頁		產(chǎn)品購(gòu)買
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