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2N7000G
規(guī)格信息：

FET 類型N 溝道

技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）60V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）200mA（Ta）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）3V @ 1mA

Vgs（最大值）±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）60pF

電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds25V

功率耗散（最大值）350mW（Tc）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）5 歐姆 @ 500mA，10V

工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型通孔

供應商器件封裝TO-92-3

封裝/外殼TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）

無鉛情況/RoHs無鉛/符合RoHs

2N7000G

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
2N7000G	N-channel 60V - 1.8ohm - 0.35A - SOT23-3L / TO-92 STripFET Power MOSFET	STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]	383.82 Kbytes	共14頁	STP80NF06,STD20NF06L,STD20NF06,STB120NF10,STD90NH02L_06,STB100NH02L,STB80NF10,NTLJF3118N,STW26NM50,2SK3513-01L	產(chǎn)品購買
2N7000G	Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N−Channel TO−92 200 mAMPS 60 VOLTS	ONSEMI[ON Semiconductor]	57.66 Kbytes	共4頁	NTJS4405N,FDLL914,LL101A,NTD4809NH,70N06,NTD4810NH,2N6796,NTD4813NH,30N06,UF640	產(chǎn)品購買
2N7000G	Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts	ONSEMI[ON Semiconductor]	92.5 Kbytes	共4頁		產(chǎn)品購買
2N7000G-T92-B	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE	UTC[Unisonic Technologies]	361.62 Kbytes	共5頁		產(chǎn)品購買
2N7000G-T92-K	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE	UTC[Unisonic Technologies]	361.62 Kbytes	共5頁		產(chǎn)品購買
2N7000G-T92-R	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE	UTC[Unisonic Technologies]	361.62 Kbytes	共5頁		產(chǎn)品購買