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2N7000P
規(guī)格信息：

制造商:Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:否

Id-連續(xù)漏極電流:200 mA

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :40 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:400 mW

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-92-3

商標(biāo):Diodes Incorporated

通道模式:Enhancement

配置:Single

最小工作溫度:- 55 C

系列:2N7000

介紹圖2N7000P
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
2N7000PN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET ETC1[List of Unclassifed Manufacturers]ETC1[List of Unclassifed Manufacturers]的LOGO-天天IC網(wǎng)185.26 Kbytes共1頁2N7000P的PDF文件地址ZVN0124A,ZVN3320F,ZVNL120G,ZVN0540A,ZVN4106F,ZVNL535A,VN2222LL,ZVN0545A,ZVN4206A,ZVN0545G 2N7000P的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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