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2N6792
規(guī)格信息：

引腳數(shù):3

功耗:20.0 W

漏源極電阻:1.80 Ω

極性:N-Channel

漏源極電壓(Vds):400 V

漏源擊穿電壓:400 V

連續(xù)漏極電流(Ids):2.00 A

零部件系列:IRFF320

含鉛標(biāo)準(zhǔn):Contains Lead

RoHS標(biāo)準(zhǔn):Non-Compliant

產(chǎn)品生命周期:Active

介紹圖2N6792
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
2N6792N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 Metal Package SEME-LAB[Seme LAB]SEME-LAB[Seme LAB]的LOGO-天天IC網(wǎng)15.49 Kbytes共1頁(yè)2N6792的PDF文件地址2N4150,2N4311,BDX10,2N3055,2N5740,BUS14A,2N5615,NTLJF3118N,2SK3592-01L,STB200NF04L 2N6792的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
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