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2N6766
規(guī)格信息:

數(shù)據(jù)列表:2N6764,66,68,70

標準包裝:1

類別:分立半導體產(chǎn)品

家庭:FET - 單

系列:-

包裝:散裝

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓(Vdss):200V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):30A(Tc)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):90 毫歐 @ 30A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):115nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):-

功率 - 最大值:4W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-204AE

供應商器件封裝:TO-3

介紹圖2N6766
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
2N6766N-Channel Power MOSFETs, 30A, 150V/200V FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)142.44 Kbytes共5頁2N6766的PDF文件地址RFP30N06LE,RFP30N06LE,RFP30N06LE,FQD60N03L,SD2918,IRF130,IRF820,SML100B13,SML10S75,SML20S67 2N6766的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
2N6766High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series IXYS[IXYS Corporation]IXYS[IXYS Corporation]的LOGO-天天IC網(wǎng)49.56 Kbytes共1頁2N6766的PDF文件地址IXTU01N100D,IXTQ50N20P,IXTP02N50D,2N6796,PJP75N06,ZXMN7A11K,ZXMN6A08G,VN10K-TO18,IRF630FI,PJP75N75 2N6766的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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2N6766T1N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543 MICROSEMI[Microsemi Corporation]MICROSEMI[Microsemi Corporation]的LOGO-天天IC網(wǎng)1001.88 Kbytes共9頁2N6766T1的PDF文件地址 2N6766T1的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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