數(shù)據(jù)列表：2N6788,2N6790
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：-
包裝：散裝
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）：200V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：3.5A（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：800 毫歐 @ 2.25A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：14.3nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：-
功率 - 最大值：800mW
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-205AF 金屬罐
供應(yīng)商器件封裝：TO-39