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2N6768
規(guī)格信息:

數(shù)據(jù)列表:2N6764,66,68,70

標(biāo)準(zhǔn)包裝:1

類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭:FET - 單

系列:-

包裝:散裝

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓(Vdss):400V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):14A(Tc)

不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):400 毫歐 @ 14A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):110nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):-

功率 - 最大值:4W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-204AE

供應(yīng)商器件封裝:TO-3

介紹圖2N6768
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