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2N6786
規(guī)格信息:

包裝:3TO-39

通道模式:Enhancement

最大漏源電壓:400 V

最大連續(xù)漏極電流:1.25 A

RDS -于:4150@10V mOhm

最大門源電壓:±20 V

典型導(dǎo)通延遲時間:15(Max) ns

典型上升時間:20(Max) ns

典型關(guān)閉延遲時間:35(Max) ns

典型下降時間:30(Max) ns

工作溫度:-55 to 150 °C

安裝:Through Hole

標(biāo)準(zhǔn)包裝:Bulk

連續(xù)漏極電流:1.25 A

柵源電壓(最大值):?20 V

功率耗散:15 W

漏源導(dǎo)通電阻:4.15 ohm

工作溫度范圍:-55C to 150C

包裝類型:TO-39

封裝:Bulk

引腳數(shù):3

極性:N

類型:Power MOSFET

元件數(shù):1

工作溫度分類:Military

漏源導(dǎo)通電壓:400 V

弧度硬化:No

刪除:Not Compliant

介紹圖2N6786
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
2N6786N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 Metal Package SEME-LAB[Seme LAB]SEME-LAB[Seme LAB]的LOGO-天天IC網(wǎng)12.45 Kbytes共1頁2N6786的PDF文件地址2N6847,IRFY330,SF_2N6463,BFT60,2N3724,SF_2N2891,2N5781,SF_2N4000,SF_2N3931,SF_BSV60 2N6786的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
2N6786N-CHANNEL ENHANCEMENTE-MODE NJSEMI[New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.]NJSEMI[New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.]的LOGO-天天IC網(wǎng)254.62 Kbytes共2頁2N6786的PDF文件地址 2N6786的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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