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2N6668G
規(guī)格信息：

產(chǎn)品種類Transistors Darlington

配置Single

晶體管極性PNP

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO80 V

發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO5 V

集電極—基極電壓 VCBO80 V

最大直流電集電極電流10 A

最大集電極截止電流1000 uA

功率耗散65 W

最大工作溫度+ 150 C

安裝風(fēng)格Through Hole

封裝 / 箱體TO-220-3

封裝Tube

集電極連續(xù)電流10 A

直流集電極/Base Gain hfe Min1000

最小工作溫度- 65 C

工廠包裝數(shù)量50

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型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	廠商LOGO	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	PDF文件	相關(guān)型號(hào)	第一頁(yè)預(yù)覽	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
2N6668G	Darlington Silicon Power Transistors PNP SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 10 A, 60−80 V, 65 W	ONSEMI[ON Semiconductor]		80.83 Kbytes	共6頁(yè)		2N6059_03,2N6035_06,SGSD100_03,D45H8_03,2N6052_06,TIP122FP_03,2N6284,2N6284_06,TIP102_03,TIP105_03		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
2N6668G	Darlington Silicon Power Transistors	ONSEMI[ON Semiconductor]		119.55 Kbytes	共6頁(yè)				產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)