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2N6667G
規(guī)格信息：

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:達林頓晶體管

RoHS:是

配置:Single

晶體管極性:PNP

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:60 V

發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V

集電極—基極電壓 VCBO:60 V

最大直流電集電極電流:10 A

最大集電極截止電流:1000 uA

Pd-功率耗散:65 W

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

最小工作溫度:- 65 C

最大工作溫度:+ 150 C

系列:2N6667

封裝:Tube

直流電流增益 hFE 最大值:20000

高度:15.75 mm

長度:10.53 mm

寬度:4.83 mm

商標(biāo):ON Semiconductor

集電極連續(xù)電流:10 A

直流集電極/Base Gain hfe Min:1000

產(chǎn)品類型:Darlington Transistors

工廠包裝數(shù)量:50

子類別:Transistors

單位重量:6 g

2N6667G

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2N6667G	Darlington Silicon Power Transistors PNP SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 10 A, 60−80 V, 65 W	ONSEMI[ON Semiconductor]		80.83 Kbytes	共6頁		2N6059_03,2N6035_06,SGSD100_03,D45H8_03,2N6052_06,TIP122FP_03,2N6284,2N6284_06,TIP102_03,TIP105_03		產(chǎn)品購買
2N6667G	Darlington Silicon Power Transistors	ONSEMI[ON Semiconductor]		119.55 Kbytes	共6頁				產(chǎn)品購買