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2N6659
規(guī)格信息：

制造商:Vishay

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:否

商標:Vishay / Siliconix

Id-連續(xù)漏極電流:2 A

Vds-漏源極擊穿電壓:35 V

Rds On-漏源導通電阻:1.8 Ohms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :30 V

Pd-功率耗散:6.25 W

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-39-3

工廠包裝數(shù)量:200

介紹圖2N6659
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2N6659N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR SEME-LAB[Seme LAB]SEME-LAB[Seme LAB]的LOGO-天天IC網(wǎng)18.2 Kbytes共2頁2N6659的PDF文件地址BSH103,STH12N60,BSH104,PHN205,STD8N10L,BSH105,BSH106,BSH107,STP4NA90,STP6N50 2N6659的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
2N6659TMOS SWITCHING FET TRANSISTORS MOTOROLA[Motorola, Inc]MOTOROLA[Motorola, Inc]的LOGO-天天IC網(wǎng)441.47 Kbytes共3頁2N6659的PDF文件地址H7N0308AB,MMFT2N25E,MRF166W,MTB20N20E,MTB4N80E,MTB9N25E,MTD2N40E,MTE125N20E,MTP1N60E,MTP30P06V 2N6659的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
2N6659TMOS SWITCHING TRANSISTOR NJSEMI[New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.]NJSEMI[New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.]的LOGO-天天IC網(wǎng)156.38 Kbytes共1頁2N6659的PDF文件地址 2N6659的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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