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2N6661-2
規(guī)格信息:

標(biāo)準(zhǔn)包裝:20

類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭:FET - 單

系列:-

包裝:管件

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓(Vdss):90V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):860mA(Tc)

不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4 歐姆 @ 1A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):-

不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):50pF @ 25V

功率 - 最大值:725mW

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐

供應(yīng)商器件封裝:TO-39

介紹圖2N6661-2
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買
2N6661-2N-Channel 90 V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO-天天IC網(wǎng)130.4 Kbytes共6頁(yè)2N6661-2的PDF文件地址 2N6661-2的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
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