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2N6661
規(guī)格信息:

制造商:Microchip

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-39-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:10 V

Id-連續(xù)漏極電流:350 mA

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4 Ohms

Vgs th-柵源極閾值電壓:800 mV

Vgs - 柵極-源極電壓:10 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:6.25 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Bulk

晶體管類型:1 N-Channel

類型:FET

商標(biāo):Microchip Technology

正向跨導(dǎo) - 最小值:170 mS

產(chǎn)品類型:MOSFET

工廠包裝數(shù)量:500

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:10 ns

典型接通延遲時間:10 ns

單位重量:1.109 g

介紹圖2N6661
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