系列ZXMN
高度2.39 mm
長度6.73 mm
寬度6.22 mm
最大工作溫度+ 150 C
最小工作溫度- 55 C
安裝風格SMD/SMT
配置Single
下降時間10.6 ns
典型接通延遲時間3.8 ns
上升時間4 ns
Vgs-柵極-源極電壓20 V
Pd-功率耗散2.11 W
通道數(shù)量1 Channel
Id-連續(xù)漏極電流10.7 A
Vds-漏源極擊穿電壓60 V
晶體管類型1 N-Channel
RdsOn-漏源導通電阻50 mOhms
通道模式Enhancement
晶體管極性N-Channel
典型關閉延遲時間26.2 ns
FET類型N 溝道
技術MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）7A（Ta）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）4.5V，10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）3V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）20.4nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）1063pF @ 30V
Vgs（最大值）±20V
功率耗散（最大值）2.11W（Ta）
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）50 毫歐 @ 3.6A，10V
工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型表面貼裝
封裝/外殼TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
封裝形式PackageDPAK
極性PolarityN-CH
漏源極擊穿電壓VDSS60V
連續(xù)漏極電流ID10.7A
無鉛情況/RoHs無鉛/符合RoHs