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Rohs：Lead free / RoHS Compliant

標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000

FET 型 ：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特點(diǎn)：Logic Level Gate

漏極至源極電壓（VDSS）：60V

電流-連續(xù)漏極（編號(hào)）@ 25°C：4.8A

Rds（最大）@ ID，VGS：50 mOhm @ 3.6A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：1V @ 250μA

柵極電荷（Qg）@ VGS：20.4nC @ 10V

輸入電容（Ciss）@?Vds的：1063pF @ 30V

功率 - 最大：2W

安裝類型 ：Surface Mount

包/盒 ：TO-261-4, TO-261AA

供應(yīng)商器件封裝：SOT-223

包裝材料 ：Tape & Reel (TR)

FET特點(diǎn)：Logic Level Gate

封裝：Tape & Reel (TR)

安裝類型：Surface Mount

電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：4.8A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250μA

封裝/外殼：TO-261-4, TO-261AA

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223

其他名稱：ZXMN6A25GTR

開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：50 mOhm @ 3.6A, 10V

FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：2W

標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000

漏極至源極電壓（Vdss）：60V

輸入電容（Ciss ） @ VDS：1063pF @ 30V

閘電荷（Qg ） @ VGS：20.4nC @ 10V

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant