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制造商:Vishay
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:否
Id-連續(xù)漏極電流:190 mA
Vds-漏源極擊穿電壓:240 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:10000 mOhms
晶體管極性:N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:900 mW
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-92-3
商標(biāo):Vishay / Siliconix
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時間:2 ns
最小工作溫度:- 55 C
上升時間:2 ns
工廠包裝數(shù)量:500
典型? 1f2c ?閉延遲時間:20 ns
典型接通延遲時間:3 ns
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