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制造商:Microchip

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:否

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-39-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:100 V

Id-連續(xù)漏極電流:1.7 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:350 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:6 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Bulk

高度:6.6 mm

長(zhǎng)度:9.4 mm

晶體管類型:1 N-Channel

類型:FET

寬度:9.4 mm

商標(biāo):Microchip Technology

下降時(shí)間:30 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:10 ns

工廠包裝數(shù)量:500

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:50 ns

典型接通延遲時(shí)間:10 ns

單位重量:1.109 g