FET 類型N 溝道
技術MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）150mA（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）2.5V @ 1mA
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）60pF
電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds25V
功率耗散（最大值）400mW（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）7.5 歐姆 @ 500mA，10V
工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型通孔
供應商器件封裝TO-92-3
封裝/外殼TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）
無鉛情況/RoHs無鉛/符合RoHs