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制 1000 造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:150 mA

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:7.5 Ohms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:400 mW

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:SOT-23-3

封裝:Ammo Pack

商標(biāo):ON Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

最小工作溫度:- 55 C

典型關(guān)閉延遲時間:10 ns

典型接通延遲時間:10 ns