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TP0202K-T1
規(guī)格信息：

制造商:Vishay

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:385 mA

Vds-漏源極擊穿電壓:- 30 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1400 mOhms

晶體管極性:P-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:350 mW

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-23-3

封裝:Reel

商標(biāo):Vishay / Siliconix

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時(shí)間:6 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時(shí)間:6 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

商標(biāo)名:TrenchFET

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:30 ns

典型接通延遲時(shí)間:9 ns

TP0202K-T1

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購(gòu)買
TP0202K-T1	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VISHAY[Vishay Siliconix]	62.31 Kbytes	共4頁	SI2303BDS,SI1433DH,SI4953ADY,SI7943DP,SI2303ADS,AF4409P,SI4427DY,AF9435P,SUB75P03-07,SI7483ADP	產(chǎn)品購(gòu)買
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TP0202K-T1-GE3	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]	1781.41 Kbytes	共7頁		產(chǎn)品購(gòu)買