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TP0101K-T1-E3
規(guī)格信息:

標準包裝:1

類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭:FET - 單

系列:TrenchFET®

包裝:剪切帶(CT)

FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動

漏源極電壓(Vdss):20V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):-

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):650 毫歐 @ 580mA,4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 50µA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2.2nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):-

功率 - 最大值:350mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3(TO-236)

其它名稱:TP0101K-T1-E3CT

介紹圖TP0101K-T1-E3
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
TP0101K-T1-E3P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO-天天IC網(wǎng)72.38 Kbytes共4頁TP0101K-T1-E3的PDF文件地址TP0205A,TP0101T,SI2323DS,SI9424BDY,AF4415P,SI1563DH,SI3495DV,SI1901DL,SI4943DY,SI7911DN TP0101K-T1-E3的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
TP0101K-T1-E3MOSFET P-CH 20V 0.58A SOT23-3Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO-天天IC網(wǎng)118.66 Kbytes共6頁TP0101K-T1-E3的PDF文件地址 TP0101K-T1-E3的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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