制造商:Vishay
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:否
Id-連續(xù)漏極電流:1 A
Vds-漏源極擊穿電壓:- 20 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:650 mOhms
晶體管極性:P-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 :8 V
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1 W
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOT-23-3
商標(biāo):Vishay / Siliconix
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時(shí)間:25 ns
最小工作溫度:- 55 C
2000 上升時(shí)間:25 ns
工廠包裝數(shù)量:1000
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:19 ns
典型接通延遲時(shí)間:7 ns
TP0101TS
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TP0101TS | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold | VISHAY[Vishay Siliconix] | 35.99 Kbytes | 共4頁(yè) | TP0205A,TP0101K,SI1901DL,SI4943DY,SI7911DN,AF4415P,SI1563DH,SI3495DV,SI5433DC,SI7705DN | 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi) | |||
| TP0101TS-T1 | VBsemi(臺(tái)灣微碧) | 896.12 Kbytes | 共9頁(yè) | 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi) | |||||
| TP0101TS-T1-E3 | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | 1038.21 Kbytes | 共9頁(yè) | 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi) |
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