系列：MDmesh? II
FET類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：6.5A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：17.4nC @ 10V
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：452pF @ 50V
Vgs（最大值）：±25V
功率耗散（最大值）：70W（Tc）
不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：745 毫歐 @ 3.25A，10V
工作溫度：150°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3
封裝形式Package：TO-220
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：600V
連續(xù)漏極電流ID：6.5A
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs