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STP6NK60Z
規(guī)格信息：

制造商:STMicroelectronics

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:600 V

Id-連續(xù)漏極電流:6 A

Rds On-漏源導通電阻:1.2 Ohms

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:110 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:SuperMESH

高度:9.15 mm

長度:10.4 mm

系列:STP6NK60Z

晶體管類型:1 N-Channel

類型:MOSFET

寬度:4.6 mm

商標:STMicroelectronics

正向跨導 - 最小值:5 S

下降時間:19 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:14 ns

工廠包裝數(shù)量:1000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:47 ns

典型接通延遲時間:14 ns

單位重量:1.438 g

STP6NK60Z

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
STP6NK60Z	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	322.1 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買
STP6NK60ZFP	MOSFET N-Channel 600V Zener SuperMESH	STMicroelectronics	425.78 Kbytes	共17頁	產(chǎn)品購買
STP6NK60ZFP	MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FP	STMicroelectronics	440.80 Kbytes	共17頁	產(chǎn)品購買
STP6NK60ZFP	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：6A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：600V 柵源極閾值電壓：4.5V @ 100uA 漏源導通電阻：1.2Ω @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 類型：N溝道	ST(意法半導體)	440.80 Kbytes	共17頁	產(chǎn)品購買